DMC3026LSD-13, MOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059043
- Артикул
- DMC3026LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.95mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC3026
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 94,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Width | 3.95mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC3026 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.3 ns, 40.4 ns |
| Rise Time: | 4.4 ns, 17.1 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC, 10.9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.2 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns, 9.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22.3 ns, 60.5 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A, 6.2 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 29 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms, 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |