DMC3025LSDQ-13, Транзистор: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072776355
- Артикул
- DMC3025LSDQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 5.8 ns, 12.4 ns
- Rise Time:
- 4.2 ns, 4.9 ns
Цена по запросу
(от 126 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V
Технические параметры
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 5.8 ns, 12.4 ns |
| Rise Time: | 4.2 ns, 4.9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.8 nC, 10.5 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.8 ns, 12.4 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.6nC@4.5V;5.1nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns, 6.8 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 501pF@15V;590pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.6 ns, 28.4 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.5A;4.2A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A, 5.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Qg - заряд затвора | 9.8 nC, 10.5 nC |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S, 5 S |
| Время нарастания | 4.2 ns, 4.9 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms, 45 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.5 A, 5.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms, 45 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 16.6 ns, 28.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.9 ns, 6.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V, 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S, 5 S |