DMC3025LSD-13, Транзистор N/P-МОП, полевой, -30/30В, -8,5/5,5А, 1,2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539558
- Артикул
- DMC3025LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC3025
- Fall Time:
- 5.8 ns, 12.4 ns
- Rise Time:
- 4.2 ns, 4.9 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMC3025LSD-13 от DIODES INCORPORATED - это высококачественный компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Он обладает током стока 8,5 А и напряжением сток-исток 30 В, что делает его идеальным выбором для различных электронных схем. Мощность устройства составляет 1,2 Вт, а сопротивление в открытом состоянии - всего 0,02 Ом, обеспечивая высокую эффективность. Тип N+P-MOSFET в корпусе SO8 позволяет использовать его в широком спектре областей применения, от питания до сигнальных цепей. Модель DMC3025LSD13 сочетает в себе выдающиеся характеристики и надежность, став выбором профессионалов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 8.5 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 1.2 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.02 Корпус SO8
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC3025 |
| Fall Time: | 5.8 ns, 12.4 ns |
| Rise Time: | 4.2 ns, 4.9 ns |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.8 nC, 10.5 nC |
| Структура | N/P-МОП |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns, 6.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.6 ns, 28.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A, 4.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms, 38 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.2 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |