DMC3021LSDQ-13, Транзистор [SO-8]
![DMC3021LSDQ-13, Транзистор [SO-8]](https://static.epl-electro.ru/lib/163/DOC012163151.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070204453
- Артикул
- DMC3021LSDQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC302
- Fall Time:
- 8.55 ns, 22.2 ns
- Rise Time:
- 4.5 ns, 6.5 ns
Цена по запросу
(от 84,54 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC302 |
| Fall Time: | 8.55 ns, 22.2 ns |
| Rise Time: | 4.5 ns, 6.5 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.1 nC, 21.1 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns, 10.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.3 ns, 50.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A, 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +100 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.1 S, 7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms, 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V, 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |