Моя заявка (0)

DMC3021LK4-13, Транзистор N/P-МОП, полевой, -30/30В, -9,4/6,8А, 2,75Вт

DMC3021LK4-13, Транзистор N/P-МОП, полевой, -30/30В, -9,4/6,8А, 2,75Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070070842
Артикул
DMC3021LK4-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMC3021
Fall Time:
6.3 ns
Rise Time:
6.6 ns
Цена по запросу
(от 92,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMC3021
Fall Time:6.3 ns
Rise Time:6.6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-5
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17.4 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation:2.75 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:9.4 A, 6.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:32 mOhms, 53 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V, 2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация