DMC3016LSD-13, Транзистор N/P-МОП, полевой, -30/30В, -6,2/8,2А, 1,2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024562723
- Артикул
- DMC3016LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.95mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC3016
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 54,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Width | 3.95mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC3016 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.6 ns, 40.4 ns |
| Rise Time: | 16.5 ns, 17.1 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.3 nC, 10.9 nC |
| Структура | N/P-МОП |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25.1 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.8 ns, 9.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.1 ns, 60.5 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.2 A, 6.2 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms, 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.2 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |