DMC2990UDJQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059034
- Артикул
- DMC2990UDJQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Technology
- Si
Цена по запросу
(от 42,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 5 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-963-6 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-963-6 |
| Product Category | MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 500 pC, 400 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 450 mA, 310 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 990 mOhms, 1.9 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV, 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |