Моя заявка (0)
DMC2710UVT-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018695709
Артикул
DMC2710UVT-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
174 ns, 445 ns
Rise Time:
3.1 ns, 2.8 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 47,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:174 ns, 445 ns
Rise Time:3.1 ns, 2.8 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOT-26-6
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:600 fC, 700 fC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:800 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:4.9 ns, 5.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:386 ns, 1247 ns
Id - Continuous Drain Current:1.2 A, 900 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:400 mOhms, 700 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация