DMC2710UV-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016751723
- Артикул
- DMC2710UV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMC2710
- Pin Count
- 6
- Fall Time:
- 174 ns, 445 ns
Цена по запросу
(от 45,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMC2710 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 174 ns, 445 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3.1 ns, 2.8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOT-563 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 600 pC, 700 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 460 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.9 ns, 5.3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 386 ns, 1247 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.1 A, 800 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.7 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.1 A, 800 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms, 700 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |