Моя заявка (0)

DMC2700UDMQ-7, 20V 1.12W 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-26 MOSFETs ROHS

DMC2700UDMQ-7, 20V 1.12W 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-26 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062472005
Артикул
DMC2700UDMQ-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
12.3 ns, 20.7 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
7.4 ns, 8.1 ns
Цена по запросу
(от 61,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике. Продукты с суффиксом "Q" означают, что продукт относится к автомобильному классу. Это означает, что устройство, оснащенное диодами, соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку заказчиков в процессе утверждения производственныx деталей (PPAP) и на производственныx площадкаx, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:12.3 ns, 20.7 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:7.4 ns, 8.1 ns
Вес, г1
No. of Pins6Pins
Technology:Si
Channel TypeComplementary N and P Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-26-6
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:736.6 pC, 622.4 pC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Transistor Case StyleSOT-26
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1.12 W
Operating Temperature Max150°C
Vgs - Gate-Source Voltage:-6 V, +6 V
Power Dissipation N Channel1.12W
Power Dissipation P Channel1.12W
Typical Turn-On Delay Time:5.1 ns, 5.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:26.7 ns, 28.4 ns
Id - Continuous Drain Current:1.34 A, 1.14 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:300 mOhms, 500 mOhms
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.34A
Continuous Drain Current Id P Channel1.34A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Drain Source On State Resistance N Channel0.3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.3ohm

Техническая документация