Моя заявка (0)

DMC2700UDM-7, Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R

DMC2700UDM-7, Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001229435
Артикул
DMC2700UDM-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMC2700
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMC2700
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-26-6
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:736.6 pC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Pd - Power Dissipation:1.12 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-6 V, +6 V
Id - Continuous Drain Current:1.34 A, 1.14 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:700 mOhms, 1.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.34
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация