DMC25D1UVT-7, MOSFETs 20V Enh Mode FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007312312
- Артикул
- DMC25D1UVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 4.3 ns, 6.5 ns
- Rise Time:
- 1.4 ns, 2.7 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 71,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DMxx с миниатюрным режимом усиления Diode Inc. МОП-транзисторы DMxx с миниатюрным режимом усиления разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(ON)). Они обеспечивают превосxодную коммутационную способность, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием. DMN31D5UFZ и DMN2990UFZ являются МОП-транзисторами с N-канальным режимом усиления, а DMP32D9UFZ - МОП-транзисторами с P-канальным режимом усиления.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 4.3 ns, 6.5 ns |
| Rise Time: | 1.4 ns, 2.7 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | TSOT-26-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 900 pC, 24.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns, 1.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.7 ns, 9.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA, 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms, 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V, 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 650 mV, 350 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |