DMC25D0UVT-7, MOSFETs 20V Enh Mode FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070187222
- Артикул
- DMC25D0UVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC25
- Fall Time:
- 3.7 ns, 14.6 ns
- Rise Time:
- 2.3 ns, 3.3 ns
Цена по запросу
(от 56,20 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Миниатюрные МОП-транзисторы DMxx с режимом усиления мощности МОП-транзисторы Diode Inc. DMxx с режимом усиления мощности разработаны таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (R DS(ON)). Они обеспечивают превосxодную коммутационную способность, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием. DMN31D5UFZ и DMN2990UFZ являются МОП-транзисторами с N-канальным режимом усиления, а DMP32D9UFZ - МОП-транзисторами с P-канальным режимом усиления.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC25 |
| Fall Time: | 3.7 ns, 14.6 ns |
| Rise Time: | 2.3 ns, 3.3 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 700 pC, 21 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V, -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns, 3.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.7 ns, 61.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 400 mA, 2.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms, 300 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V, 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 650 mV, 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |