DMC2400UV-7, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, полевой, 20/-20В, 1,03А, 450мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017536783
- Артикул
- DMC2400UV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.25mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC2400
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 62,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Width | 1.25mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC2400 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 10.54 ns, 19.2 ns |
| Rise Time: | 7.28 ns, 4.3 ns |
| Вес, г | 10 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOT-563 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 pC, 850 pC |
| Структура | P-МОП |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, -8 V, +12 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.06 ns, 8.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.74 ns, 20.2 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.03 A, 700 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A, 700 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 480 mOhms, 970 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.03 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |