Моя заявка (0)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 3.3 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2057UVT-7

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 4 A, 3.3 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2057UVT-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024363518
Артикул
DMC2057UVT-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.7mm
Pin Count
6
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор нового поколения разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Width1.7mm
Pin Count6
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN, P
Package TypeTSOT-26
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Maximum Power Dissipation1.1 W
Typical Gate Charge @ Vgs10.5 nC @ 10 V(NChannel), 6.5 nC @ 4.5 V(PChannel)
Maximum Gate Source Voltage±12 V, ±8 V
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1(PChannel)V, 1.2(NChannel)V
Minimum Gate Threshold Voltage0.4(NChannel)V, 0.4(PChannel)V
Maximum Drain Source Resistance160(PChannel)mΩ, 91(NChannel)mΩ
Maximum Continuous Drain Current4 A, 3.3 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация