DMC2041UFDB-7, MOSFETs 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059026
- Артикул
- DMC2041UFDB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC2041
- Fall Time:
- 2.6 ns, 20.4 ns
- Rise Time:
- 15.9 ns, 9.5 ns
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC2041 |
| Fall Time: | 2.6 ns, 20.4 ns |
| Rise Time: | 15.9 ns, 9.5 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN-2020-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC, 18 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Квалификация | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Power Dissipation N Channel | 1.4Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.4Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.6 ns, 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns, 29.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.7 A, 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms, 59 mOhms |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV, 1.4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 4.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.4Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.023Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.023Ом |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | U-DFN2020 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 4.7А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 4.7А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.023Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |