DMC2038LVT-7, Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001675396
- Артикул
- DMC2038LVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Width
- 1.65mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC2038
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMC2038LVT-7 от DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный компонент для монтажа SMD, обеспечивающий надежную работу в электронных схемах. С током стока 4,5 А и напряжением сток-исток 20 В этот транзистор способен выдерживать мощность до 1,1 Вт. Кроме того, он отличается низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,035 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность. Вид N+P-MOSFET указывает на комбинированное применение n-канального и p-канального полевых транзисторов в одном корпусе TSOT26, что делает его универсальным решением для различных применений. Используйте DMC2038LVT7 для повышения эффективности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 4.5 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 1.1 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.035 Корпус TSOT26
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Width | 1.65mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC2038 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 8 ns, 13 ns |
| Rise Time: | 8 ns, 12 ns |
| Вес, г | 0.112 |
| No. of Pins | 6Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | TSOT-26 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC, 14 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Case Style | TSOT-26 |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC 10 V, 14 nC 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 800mW |
| Power Dissipation P Channel | 800mW |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns, 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns, 21 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A, 3.1 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 56 mΩ, 168 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.1 A, 5.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms, 74 mOhms |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 20V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 20V |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 3.7A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 3.7A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 3.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 800мВт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.027ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.027ohm |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOT-26 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.027Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 Ом |