Моя заявка (0)
DMC1030UFDBQ-7, UDFN-6 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070189423
Артикул
DMC1030UFDBQ-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
4.9 ns, 25.4 ns
Rise Time:
7.4 ns, 12.8 ns
Вес, г
0.04
Цена по запросу
(от 134 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:4.9 ns, 25.4 ns
Rise Time:7.4 ns, 12.8 ns
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN-2020-6
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:23.1 nC, 20.8 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation:1.36 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:4.4 ns, 5.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18.8 ns, 30.7 ns
Id - Continuous Drain Current:5.1 A, 3.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:17 mOhms, 37 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV, 1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000