DMC1030UFDBQ-7, Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.1A/3.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002231416
- Артикул
- DMC1030UFDBQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 4.9 ns, 25.4 ns
- Rise Time:
- 7.4 ns, 12.8 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 4.9 ns, 25.4 ns |
| Rise Time: | 7.4 ns, 12.8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN-2020-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23.1 nC, 20.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 1.36 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.4 ns, 5.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18.8 ns, 30.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.1 A, 3.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms, 37 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV, 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |