DMC1028UVT-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059018
- Артикул
- DMC1028UVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 3.7 ns, 12.7 ns
- Rise Time:
- 9.4 ns, 3.6 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 61,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 3.7 ns, 12.7 ns |
| Rise Time: | 9.4 ns, 3.6 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18.5 nC, 11.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 800mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18.5nC@8V;11.5nC@8V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.6 ns, 3.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 787pF@6V;576pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.7 ns, 20.8 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.1A;3.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.1 A, 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms, 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V, 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12V;20V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25mΩ@5.2A, 4.5V;80mΩ@3.8A, 4.5V |