Моя заявка (0)

Diodes Inc N/P-Channel MOSFET, 5.4 A, 10 A, 12 V, 20 V, 8-Pin PowerDI5060-8 DMC1018UPDWQ-13

Diodes Inc N/P-Channel MOSFET, 5.4 A, 10 A, 12 V, 20 V, 8-Pin PowerDI5060-8 DMC1018UPDWQ-13

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018669191
Артикул
DMC1018UPDWQ-13
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N, P
Цена по запросу
(от 158,35 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройства DiodesZetex разработаны с учетом строгиx требований автомобильной промышленности. Это экологически чистое устройство, не содержащее свинца, галогенов и сурьмы.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN, P
Package TypePowerDI5060-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Power Dissipation (Pd)25W
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Total Gate Charge (Qg@Vgs)8.6nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)866pF@6V
Maximum Drain Source Voltage12 V, 20 V
Continuous Drain Current (Id)20.9A
Maximum Gate Threshold Voltage1.5 V, 1.5 V
Maximum Drain Source Resistance0.025 O, 0.053 O
Maximum Continuous Drain Current5.4 A, 10 A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)131pF@6V
Пороговое напряжение на затворе600mV@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)38mΩ@4.5V, 20.9A

Техническая документация