Моя заявка (0)
DMC1018UPD-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059016
Артикул
DMC1018UPD-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Вес, кг
9.29
Цена по запросу
(от 98,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Вес, кг9.29
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-C-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:30.4 nC, 8.6 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V, -12 V, +12 V
Id - Continuous Drain Current:9.5 A, 6.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:17 mOhms, 32 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:600 mV, 1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация