DMC1015UPD-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059014
- Артикул
- DMC1015UPD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 6
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 146 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-C-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15.6 nC, 11.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.5 A, 6.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms, 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V, 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV, 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |