Моя заявка (0)

DJT4031N-13, 100nA 30V 1.2W 200@1A,1V 3A 105MHz 300mV@3A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

DJT4031N-13, 100nA 30V 1.2W 200@1A,1V 3A 105MHz 300mV@3A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069360452
Артикул
DJT4031N-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.28
Серия:
DJT4031
Корпус
SOT-223
Структура
npn
Цена по запросу
(от 91,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.28
Серия:DJT4031
КорпусSOT-223
Структураnpn
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Производитель:Diodes Incorporated
Торговая марка:Diodes Incorporated
Упаковка / блок:SOT-223-4
Категория продукта:Биполярные транзисторы-BJT
Полярность транзистора:NPN
Pd - рассеивание мощности:2000 mW
Напряжение эмиттер-база (VEBO):6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO):40 V
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:40 V
Максимальный постоянный ток коллектора:5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:300 mV
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц105
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:2500
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):105 MHz

Техническая документация