DIW120SIC059-AQ,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044526932
- Артикул
- DIW120SIC059-AQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- SiC
- Вес, г
- 5.167
Цена по запросу
(от 17 080 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 5.167 |
| Gate charge | 121nC |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 46A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 278W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | -4…18V |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 100A |