DIW120SIC028,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050711810
- Артикул
- DIW120SIC028
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-247-3L
- Power loss
- 517 W
Цена по запросу
(от 5 980 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор из карбида кремния (SiC), DIW120SIC028, Diotec Особенности Материал с широкой полосой пропускания SiC Низкое сопротивление в рабочем состоянии Быстрое переключение Низкий уровень заряда затвора Лавинообразный режим Соответствует требованиям RoHS Приложения Преобразователи постоянного тока Источники питания Приводы постоянного тока Электроинструменты Бытового и промышленного назначения
Технические параметры
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-247-3L |
| Power loss | 517 W |
| Вес, г | 0.01 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Max. current | 100 A |
| max. Voltage | 1200 V |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Continuous Drain Current Id | 100A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 517W |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20V |