Моя заявка (0)

DIW065SIC080,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247

DIW065SIC080,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050711812
Артикул
DIW065SIC080
Бренд
Diotec Semiconductor
Вес, г
0.01
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Transistor Case Style
TO-247
Цена по запросу
(от 1 610 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.01
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleTO-247
Drain Source Voltage Vds650V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id36A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт175W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18V

Техническая документация