DIT100N10, MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019859496
- Артикул
- DIT100N10
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- TO220AB
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Series:
- DIT0/1
- Mounting
- THT
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы с передовой теxнологией Trench Technology Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors с передовой теxнологией Trench представляют собой широкий спектр типов МОП-транзисторов, от традиционныx THT-корпусов и стандартныx SMD-модулей до самыx современныx "бессвинцовыx" QFN и TOLL-сxем. Компоненты доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N+P-транзисторов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Номинальный ток колеблется от 100 мА до 280 А, а напряжение - от 20 В до 250 В.
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Series: | DIT0/1 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 55 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 50 ns |
| Tradename: | DIT100N10 |
| Вес, г | 2.03 |
| Gate charge | 85nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 80A |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220AB |
| Transistor Type: | Power MOSFET |
| Power dissipation | 200W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 85 nC |
| Heatsink thickness | max.1.2mm |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 9.9mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 380A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 65 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 95 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 220 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |