DIF170SIC049,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050714562
- Артикул
- DIF170SIC049
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-247-4L
- Power loss
- 357 W
Цена по запросу
(от 4 610 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор из карбида кремния (SiC), DIF170SIC049, Diotec Особенности Передовая траншейная теxнология Низкое сопротивление при включении Быстрое время переключения Низкий уровень заряда затвора Лавинообразный режим Соответствует требованиям RoHS Приложения Преобразователи постоянного тока Источники питания Приводы постоянного тока Зарядная станция Инвертор Коммерческий/промышленный сорт
Технические параметры
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-247-4L |
| Power loss | 357 W |
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Max. current | 67 A |
| max. Voltage | 1700 V |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Drain Source Voltage Vds | 1.7kV |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Continuous Drain Current Id | 67A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 357W |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18V |