Моя заявка (0)

DIF120SIC028,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247

DIF120SIC028,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050711815
Артикул
DIF120SIC028
Бренд
Diotec Semiconductor
Вес, г
0.01
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Transistor Case Style
TO-247
Цена по запросу
(от 5 980 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.01
No. of Pins4Pins
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleTO-247
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id100A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт517W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)20V

Техническая документация