Diotec Semiconductor N channel SiC MOSFET, 1200 V, 120 A, TO-247-4L, DIF120SIC022
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074514392
- Артикул
- DIF120SIC022
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Version
- N channel
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-247-4L
- Power loss
- 580 W
Цена по запросу
(от 4 199,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор из карбида кремния (SiC), DIF120SIC022, Diotec Особенности Материал с широкой запрещенной зоной SiC Большой зазор и сопротивление утечке Источник Кельвина для быстрого переключения и Низкое сопротивление в рабочем состоянии Быстрое переключение Низкий уровень заряда затвора Лавинообразный режим Соответствует требованиям RoHS Приложения Преобразователи постоянного тока Источники питания Приводы постоянного тока Электроинструменты Бытового и промышленного назначения
Технические параметры
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-247-4L |
| Power loss | 580 W |
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Max. current | 120 A |
| max. Voltage | 1200 V |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Continuous Drain Current Id | 120A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |