Моя заявка (0)

DIF120SIC022, SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C

DIF120SIC022, SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041135965
Артикул
DIF120SIC022
Бренд
Diotec Semiconductor
Version
N channel
Assembly
THT
Enclosure
TO-247-4L
Power loss
580 W
Цена по запросу
(от 5 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор из карбида кремния (SiC), DIF120SIC022, Diotec Особенности Материал с широкой запрещенной зоной SiC Большой зазор и сопротивление утечке Источник Кельвина для быстрого переключения и Низкое сопротивление в рабочем состоянии Быстрое переключение Низкий уровень заряда затвора Лавинообразный режим Соответствует требованиям RoHS Приложения Преобразователи постоянного тока Источники питания Приводы постоянного тока Электроинструменты Бытового и промышленного назначения

Технические параметры

VersionN channel
AssemblyTHT
EnclosureTO-247-4L
Power loss580 W
Вес, г1
No. of Pins4Pins
Channel TypeN Channel
Max. current120 A
max. Voltage1200 V
СтруктураMOSFET
Transistor Case StyleTO-247
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Operating Temperature Max175°C
max. operating temperature175 °C
min. operating temperature-55 °C
Continuous Drain Current Id120A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация