Моя заявка (0)

DI7A6N10SQ, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.6A; Idm: 200A; 2.5W; SO8

DI7A6N10SQ, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.6A; Idm: 200A; 2.5W; SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070217877
Артикул
DI7A6N10SQ
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Fall Time:
27 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 91,52 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы с передовой траншейной теxнологией Diotec Semiconductors обладают низким сопротивлением при включении и быстрым временем переключения. Эти компоненты MOSFET доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. Силовые МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N + P-каналов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Эти МОП-транзисторы обеспечивают диапазон тока от 100 мА до 280 А и напряжения от 20 В до 250 В. Силовые МОП-транзисторы полностью соответствуют стандарту AEC-Q101.

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Fall Time:27 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:20 ns
Вес, г0.12
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Package/Case:SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:22 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:4000
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:7.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация