DI5A7N65D1K-AQ, MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022268755
- Артикул
- DI5A7N65D1K-AQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Fall Time:
- 50 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 216,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы с передовой траншейной теxнологией Diotec Semiconductors обладают низким сопротивлением при включении и быстрым временем переключения. Эти компоненты MOSFET доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. Силовые МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N + P-каналов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Эти МОП-транзисторы обеспечивают диапазон тока от 100 мА до 280 А и напряжения от 20 В до 250 В. Силовые МОП-транзисторы полностью соответствуют стандарту AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Fall Time: | 50 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Package/Case: | TO-252AA-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 18.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 36 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 43 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 430 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |