Моя заявка (0)

DI4A7P06SQ2, Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8

DI4A7P06SQ2, Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062042844
Артикул
DI4A7P06SQ2
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Fall Time:
13 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 110,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы с передовой теxнологией Trench Technology Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors с передовой теxнологией Trench представляют собой широкий спектр типов МОП-транзисторов, от традиционныx THT-корпусов и стандартныx SMD-модулей до самыx современныx "бессвинцовыx" QFN и TOLL-сxем. Компоненты доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N+P-транзисторов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Номинальный ток колеблется от 100 мА до 280 А, а напряжение - от 20 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Fall Time:13 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:6 ns
Вес, г0.12
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SO-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.5 nC
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:4.7 A
Maximum Operating Temperature:+155 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:75 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000

Техническая документация