DI200N10D2, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8036216571
- Артикул
- DI200N10D2
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- D2PAK, TO263AB
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 1
- Gate charge
- 262nC
Цена по запросу
(от 368,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263AB |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 262nC |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 185A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 340W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 2.3mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 950A |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 185 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 340 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |