Моя заявка (0)
DI150N04PQ, MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022144905
Артикул
DI150N04PQ
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Fall Time:
5.8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
6.2 ns
Цена по запросу
(от 249,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors отличаются низким сопротивлением при включении и быстрым временем переключения. Компоненты этиx МОП-транзисторов доступны в стандартной коммерческой и промышленной комплектации. Силовые МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N + P-каналов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Эти МОП-транзисторы обеспечивают диапазон тока от 100 мА до 280 А и напряжения от 20 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Fall Time:5.8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:6.2 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:QFN-8
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:61 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:125 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:150 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:80 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.45 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация