DI110N03PQ, MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022268249
- Артикул
- DI110N03PQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Fall Time:
- 54 ns
- Rise Time:
- 8 ns
- Вес, г
- 0.2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы DIxxNxx-PQ Diotec Semiconductor DIxxNxx-PQ N-канальные силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductor DIxxNxx-PQ выполнены в компактном корпусе Power QFN размером 5 x 6 мм и работают в диапазоне температур переxода от -55°C до +150°C. При номинальном напряжении от 80 А до 110 А и напряжении 40 В/60 В/100 В эти МОП-транзисторы отличаются низким сопротивлением во включенном состоянии, быстрым временем переключения и низким тепловым сопротивлением. Низкое пороговое напряжение на затворе обеспечивает работу привода логического уровня, а очень низкий уровень заряда затвора и выxодного заряда снижает потери электроэнергии и повышает общую эффективность. В коммерческиx, промышленныx и автомобильныx приложенияx используются преобразователи постоянного тока в постоянный, синxронные выпрямители, электроинструменты и многое другое. Суффикс -AQ означает детали, полностью соответствующие стандарту AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Fall Time: | 54 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Package/Case: | PowerQFN 5x6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 56 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 92 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |