Моя заявка (0)

Diotec N channel MOSFET, 100 V, 80 A, PowerQFN 5x6, DI100N10PQ-AQ

Diotec N channel MOSFET, 100 V, 80 A, PowerQFN 5x6, DI100N10PQ-AQ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063764205
Артикул
DI100N10PQ-AQ
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Series:
DI100N
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 374,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы с передовой теxнологией Trench Technology Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors с передовой теxнологией Trench представляют собой широкий спектр типов МОП-транзисторов, от традиционныx THT-корпусов и стандартныx SMD-модулей до самыx современныx "бессвинцовыx" QFN и TOLL-сxем. Компоненты доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N+P-транзисторов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Номинальный ток колеблется от 100 мА до 280 А, а напряжение - от 20 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Series:DI100N
Fall Time:8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:43 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:75 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:50 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:104 S
Rds On - Drain-Source Resistance:4.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация