DI100N10PQ, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025867811
- Артикул
- DI100N10PQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- QFN5x6
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.14
- Gate charge
- 75nC
Цена по запросу
(от 236,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | QFN5x6 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.14 |
| Gate charge | 75nC |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 60W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 6.6mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 480A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +10 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 95 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |