DI100N04PQ-AQ, MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024375160
- Артикул
- DI100N04PQ-AQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Fall Time:
- 6.2 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5.6 ns
Цена по запросу
(от 138,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Fall Time: | 6.2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5.6 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.1 mOhms |