Моя заявка (0)
DI068P04D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070198807
Артикул
DI068P04D1-AQ
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Fall Time:
9 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
48 ns
Цена по запросу
(от 162,77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы с передовой траншейной теxнологией Diotec Semiconductors обладают низким сопротивлением при включении и быстрым временем переключения. Эти компоненты MOSFET доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. Силовые МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N + P-каналов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Эти МОП-транзисторы обеспечивают диапазон тока от 100 мА до 280 А и напряжения от 20 В до 250 В. Силовые МОП-транзисторы полностью соответствуют стандарту AEC-Q101.

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Fall Time:9 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:48 ns
Вес, г0.44
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Package/Case:TO-252AA-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:125 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:54 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:37 ns
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Id - Continuous Drain Current:68 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:40.6 S
Rds On - Drain-Source Resistance:7.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация