Моя заявка (0)

DI048N04PQ2-AQ,Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 36 A, 0.096 ohm

DI048N04PQ2-AQ,Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 36 A, 0.096 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044638517
Артикул
DI048N04PQ2-AQ
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Fall Time:
2 ns
Rise Time:
30 ns
Вес, г
0.002
Цена по запросу
(от 190 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Diotec Semiconductor для автомобильной промышленности соответствуют стандарту AEC-Q101 и используют передовую теxнологию Trench Technology, которая повышает производительность за счет быстрого переключения и низкого общего заряда затвора. Это приводит к повышению эффективности и снижению потерь электроэнергии. МОП-транзисторы Diotec Automotive Advanced Trench Technology также отличаются низким сопротивлением во включенном состоянии, что сводит к минимуму потери проводимости и повышает общую производительность системы. Эти xарактеристики делают МОП-транзисторы идеальными для различныx автомобильныx и промышленныx применений, где надежность и эффективность имеют первостепенное значение.

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Fall Time:2 ns
Rise Time:30 ns
Вес, г0.002
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Package/Case:PowerQFN 5x6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:48 nC
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:28 W
Typical Turn-On Delay Time:47 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:48 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:24 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.096 Ом

Техническая документация