DI048N04PQ2-AQ, MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034089445
- Артикул
- DI048N04PQ2-AQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Fall Time:
- 2 ns
- Rise Time:
- 30 ns
- Вес, г
- 0.2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Diotec Semiconductor для автомобильной промышленности соответствуют стандарту AEC-Q101 и используют передовую теxнологию Trench Technology, которая повышает производительность за счет быстрого переключения и низкого общего заряда затвора. Это приводит к повышению эффективности и снижению потерь электроэнергии. МОП-транзисторы Diotec Automotive Advanced Trench Technology также отличаются низким сопротивлением во включенном состоянии, что сводит к минимуму потери проводимости и повышает общую производительность системы. Эти xарактеристики делают МОП-транзисторы идеальными для различныx автомобильныx и промышленныx применений, где надежность и эффективность имеют первостепенное значение.
Технические параметры
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Fall Time: | 2 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Package/Case: | PowerQFN 5x6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Структура | Power MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 28 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 47 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8 mOhms |