DI025N20PQ, MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048?
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029489855
- Артикул
- DI025N20PQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Fall Time:
- 5 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 233,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors отличаются низким сопротивлением при включении и быстрым временем переключения. Компоненты этиx МОП-транзисторов доступны в стандартной коммерческой и промышленной комплектации. Силовые МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N + P-каналов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Эти МОП-транзисторы обеспечивают диапазон тока от 100 мА до 280 А и напряжения от 20 В до 250 В.
Технические параметры
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Package/Case: | PQFN-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 135 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 48 mOhms |