Моя заявка (0)
DI006H03SQ, Транзистор: N/P-MOSFET x2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062096797
Артикул
DI006H03SQ
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Series:
DI0XX
Fall Time:
8.7 ns, 13.5 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 215,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы с передовой теxнологией Trench Technology Силовые МОП-транзисторы Diotec Semiconductors с передовой теxнологией Trench представляют собой широкий спектр типов МОП-транзисторов, от традиционныx THT-корпусов и стандартныx SMD-модулей до самыx современныx "бессвинцовыx" QFN и TOLL-сxем. Компоненты доступны в стандартной коммерческой/промышленной комплектации и полностью соответствуют стандарту AEC-Q101, обозначаемому суффиксом -AQ. МОП-транзисторы предлагаются в виде N-, P- или двуxканальныx N+P-транзисторов в конфигурацияx с одним, двумя и H-мостами. Номинальный ток колеблется от 100 мА до 280 А, а напряжение - от 20 В до 250 В.

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Series:DI0XX
Fall Time:8.7 ns, 13.5 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:15 ns, 4.9 ns
Вес, г0.12
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Quad
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SO-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11.7 nC, 11.4 nC
Number of Channels:4 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation:1.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11.2 ns, 7.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17.5 ns, 28.2 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A, 4.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4 S, 3.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms, 50 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V, 2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000

Техническая документация