DGTD65T15H2TF, Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002320154
- Артикул
- DGTD65T15H2TF
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Packaging:
- Bulk
- Вес, г
- 7
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | ITO-220AB-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |