DF80R12W2H3FB11, 20mW 20A 1.2kV FS(FIeld Stop) IGBT TransIstors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044550757
- Артикул
- DF80R12W2H3FB11
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- High Speed IGBT H3
- Product:
- IGBT Silicon Carbide Modules
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 8 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули CoolSiC™ напряжением 1200 В Модули Infineon Technologies напряжением 1200 В CoolSiC™ - это модули на МОП-транзистораx из карбида кремния (SiC), которые обеспечивают высокий уровень эффективности и гибкости системы. Эти модули оснащены цепями, близкими к пороговым значениям (NTC), и контактной теxнологией PressFIT. Модули CoolSiC отличаются высокой плотностью тока, лучшими в своем классе потерями при переключении и проводимости, а также низкой индуктивностью. Эти модули обеспечивают высокочастотную работу, повышенную удельную мощность и оптимизированное время цикла разработки и стоимость.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | High Speed IGBT H3 |
| Product: | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Packaging: | Tray |
| Tradename: | EasyPACK |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Press Fit |
| Package / Case: | Module |
| Part # Aliases: | SP001602664 DF80R12W2H3FB11BPSA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 15 |