DF80R07W1H5FPB11BPSA1, IGBT Modules 650 V, 80 A booster IGBT module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005505154
- Артикул
- DF80R07W1H5FPB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Серия
- Trenchstop IGBT5 - H5
- Продукт
- IGBT Silicon Carbide Modules
- Упаковка
- Tray
Цена по запросу
(от 6 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | Trenchstop IGBT5 - H5 |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Упаковка | Tray |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | Module |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Другие названия товара № | DF80R07W1H5FP_B11 SP001781604 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EasyPACK CoolSiC |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |