MOSFET, 2000 V AG-EASY3B DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030976123
- Артикул
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- AG-EASY3B
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 87 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon имеет 4-ступенчатую конфигурацию усиления в одном удобном корпусе 3B и поставляется с новейшим поколением CoolSiC M1H.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | AG-EASY3B |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 20мВт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Drain Source Voltage | 2000 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0172Ом |
| Линейка Продукции | EasyPACK CoolsiC Series |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.15В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0172 Ом |